近年來，為適應電子儀器和家電產品日趨小型化、片式化和篼性能的要求，對片式固體電解電容器提出了更新的要求。其中的一個關鍵技術是如何降低電容器的等效串聯電阻（ESR）值，改進阻抗-頻率特性。而其中以導電聚合物作陰極的固體電解電容器成為近年來研究的一個熱點。與傳統的固體電容器陰極Mn02相比，導電聚合物具有比Mn02高幾十倍的導電率，使得其ESR值在篼頻下比Mn2要低12個數量級，從而可大大提篼器件的高頻性能；同時導電聚合物的“自愈”溫度比MnCM氐，因此還可以在較小的漏電流下修復工藝過程中造成的氧化膜缺陷，提高了電容器的可靠性；在被膜工藝上，由于是采用原位聚合成膜，因此可避免Mn02I藝中高溫過程可能對Ta205氧化膜造成的損害，減小該過程對電容器性能的影響。目前國內外作為固體電容器陰極材料研究的導電聚合物主要有聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩等，本文介紹了用新型導電聚合物PEDT（導電率：1500S/cm）作鉭電解電容器陰極的一些工藝上的研究，重點討論了原位化學聚合被膜中氧化劑與單體EDT組成、聚合溫度、驅溶溫度等對所制電容器性能的影響。并對造成這些影響的因素進行了初步分析。
1實驗實驗采用的鉭電解電容器芯子規格為lV/68f/F，單體和氧化劑購于Bayer公司，采用的溶劑均為分析純，所有試劑都未經進一步處理。
將用溶劑分別稀釋后的單體和氧化劑按一定比例混合，然后把已形成Ta/Ta2Os的電容器芯子浸入混合溶液中，一定時間后取出，在4080*C下逐漸升溫以驅除溶劑，之后將其在純水中洗去殘留的氧化劑，重復以上操作多次，最后被覆石墨、銀漿，形成電容器陰極。
2結果與討論2.1氧化劑/單體組成對樣品容量和ESR值的影響在溶劑用量和其它工藝條件固定的情況下，顯示了配比在18之間變化時樣品容量和ESR值的變化情況。在中，容量引出隨配比增大而增大，在配比大于3以后基本達到穩定，在配比為3以前容量引出有一個逐步提高的過程，從剖開后的芯子內部PEDT的滲入情況可以看到，隨配比的增大PEDT被覆到芯子內部深度增加，被PEDT被覆的表面增大，這對應著容量引出增大的趨勢。這是由于PEDT化學聚合的速度可由配比控制，在配比小于3以前，聚合速度快，使得溶液還未充分浸入芯體內部就在芯體表面附近聚合成一層PEDT聚合物層，該層的存在阻礙了溶液進一步浸入芯體內部，從而造成容量引出率較低。在配比大于3以后，聚合速度較慢，溶液能充分浸入芯體內部聚合，使被覆表面增大。在配比為36之間，容量引出達到穩定。中ESR值隨配比的變化趨勢可以用不同配比在玻璃基片上被膜的導電性變化得以解釋，采用小于配比3成膜的其表面形貌如、，3是配比為2和4在Si基片上被膜的AFM圖像。對比、3可以認為配比小于3以前，其聚合后的產物鏈段較短，分子鏈的共軛程度下降，不利于載流子在共軛體系中的遷移運動；同時造成膜具有較大的空隙體積，阻礙了載流子在共軛鏈間的躍遷。
容：（▲）和ESR（）隨化劑/單體配比變化的情況低溫0°C成膜AFM圖像室25°C成膜AFM圖像篼50*C成膜AFM圖像6 2.2化學聚合溫度對樣品容置和損耗的影響、5、6為不同聚合溫度下沉積在玻璃基片上PEDT薄膜的AFM圖像。由圖可以看出低溫、常溫、高溫聚合沉積膜從表面形貌上看無太大的差別，但實驗測得的薄膜電導率稍有一點差別，表現在低溫聚合比高溫聚合得到的薄膜電導率略高。
顯示聚合溫度對電容器容量的影響不明顯，容量都能達到90%以上，而對電容器損耗有一定的影響，表現為隨著聚合溫度升高電容器樣品損耗有所增大，這是由于聚合溫度對陽離子聚合速度影響較小，而高溫可能使聚合過程中生成的少量小分子副產物易包覆于聚合產物中形成雜質，造成樣品損耗增大。
2.S驅溶溫度對樣品ESR值的影響對于被胃在Ta205氧化層上的PEDT膜，需要在一定溫度下驅除薄膜中的溶劑，以形成陰極。顯示了不同驅溶溫度對ESR值的影響，驅溶溫度在2550*C之間，ESR值隨驅溶溫度升高有所下降；驅溶溫度在5080*C之間，ESR值達到最小丨驅溶溫度超過80*C，ESR則急劇增大。結合實驗觀察，發現驅溶溫度高于80*C，驅溶膜層表面有氣泡破裂造成的痕跡；而驅溶溫度低于50*C，則可能使溶劑不能完全被驅除出來，仍殘留在膜中。2種情況都影響膜層的均勻性和致密性，從而導致薄膜導電率下降，使電容器樣品ESR值增大。
S結論本文通過分析，研究了導電聚合物PEDT作鉭電解電容器。陰極的工藝，其中單體與氧化劑的配比對產品的容量和ESR均有較大影響，主要原因在于聚合速度影響溶液的滲透性能和薄膜的導電率，將配比保持在36范圍對提篼容量引出率、降低產品ESR值是有益的；聚合溫度對產品的損耗略有影響，主要是篼溫使副反應生成的雜質包覆于薄膜中使產品的損耗增大；驅除溶劑過程中的溫度對產品的ESR有較大的影響。
化學聚合溫度對樣品容置（▲）和損耗（春）的影響驅溶溫度對樣品ESR值的影響
